除泡光刻胶,导电光刻胶生产厂家,双层光刻胶供应商
1.灵敏度sensitivity
灵敏度是衡量光刻胶---速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,rr5光刻胶多少钱,所需的---剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2.分辨率resolution
区别硅片表---邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) ---系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、---、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,rr5光刻胶厂家,经紫外线---后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显---,被---的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,rr5光刻胶价格,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外---或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显---,---的负性光刻胶或未---的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,rr5光刻胶,而后续的刻蚀、沉积等工艺,就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上,后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成---分子;负胶指的是聚合物的---分子因光照而交链长链分子。 ---分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的---部分被去掉,而负胶的---部分被保留。
光刻胶一般由4部分组成:树脂型聚合物resin/polymer,溶剂solvent,光活性物质photoactive compound,pac,添加剂additive。 其中,树脂型聚合物是光刻胶的主体,它使光刻胶具有耐刻蚀性能;溶剂使光刻胶处于液体状态,便于涂覆;光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/x射线等感光,并发生相应的化学反应;添加剂是用以改变光刻胶的某些特性,如控制胶的光吸收率/溶解度等。
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